刹用铁电薄膜的自发极化的双稳性存储信息制遗铁电随机存储瞪eRAM） 懿铁电场效应管（FeFET）；释羯铁淹薄膜懿篱奔毫常数隶《逡莲密度动态隧橇存褚器 （DRAM）：铁电薄膜生长在半导体Si或GaAs衬底上可制备新一代的压力传感器...
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...年 收藏 | 手机打开 手机客户端打开本文 铁电薄膜器件的电学性能模拟及失效行为研究 孙静 【摘要】：用铁电场效应晶体管(FeFET)作为存储单元的铁电存储器，具有结构简单、难以挥发、功耗很低、非破坏性读出、可多次反复读写、可高速大密度存取、抵抗辐射性能...
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使用铁电薄膜代替普通场效应晶体管中的栅介质层而制成的铁电效应晶体管(FeFET)因其非挥发性存储、非破坏性读出、高读写速度和低静态功耗等优势成为最有潜力的下一代新型存储器件之一。
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...能够找出三种全新的嵌入式内存概念：直接穿透式 RAM、铁电性材料场效应晶体管（ferroelectric field-effect transistor，FeFET）、与采用硅绝缘体（silicon-on-insulator，SOI）基板，或可能采用3D FinFE...
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