双栅动态阈值SOI NMOSFET数值模拟-毕业论文网 Key words： Double-gate structure; dynamic threshold; FDSOI; NMOSFET [gap=227]关键词： 双栅结构；动态阈值；全耗尽绝缘体上硅； NMOS场效应晶体管
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...全文数据库 前10条 1 郑冬冬;;辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料[J];半导体信息;2011年02期 2 孙再吉;;FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)推动SOI发展[J];半导体信息;2011年02期 3 沈泽南;刘邦武;夏洋;刘杰;李超波;陈波;;黑硅制备及应用进展[J];固体电子学研究与进展;2...
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2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝缘硅（Fully-depleted SOI， FDSOI）、硅锗、三栅（Tri-Gate）和镍硅金属栅（NiSi）的栅长为20 纳米的硅晶体管。
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2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝缘硅（Fully-depleted SOI， FDSOI）、硅锗、三栅（Tri-Gate）和镍硅金属栅（NiSi）的栅长为20 纳米的硅晶体管。
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