With the continuous scaling down of the CMOS IC, failure isolation technology, as an important part of failure analysis technology, has to change to meet the challenge.
随着集成电路特征尺寸的不断减小,作为失效分析重要一环的失效定位技术也要做出相应的变革,传统失效定位手段在如此大的区域里去精确定位失效位置已变得不切实际。
参考来源 - CMOS IC结构缺陷显微红外发光研究·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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