外资机构也认为,台积电在7纳米先进制程已远远领先三星,虽然三星在7纳米决定全数导入极紫外光(EUV)作为曝光显影的关键设备,但因良率始终未见提升,才会导致挖台积电客户无功而返。
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...物作为新型多功能荧光探针的作用机理和应用开发;在我国首先开展了基于分子玻璃超高分辨光刻胶的研究,研发出了用于极紫外(EUV)和ArF光刻(193nm)的超高分辨光刻胶,正在进一步开展工业化工艺研发;开发了气凝胶的新型制备工艺和应用。在包括Angew.
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虽然已有提案提出使用更短的曝光波长,诸如EUV(极紫外线),来实现更高分辨率的微细加工技术,并且光刻胶制造商正在开发对应的光刻胶材料技术,但新的微细加工技术的导入由于牵涉到巨额的...
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激光辅助真空锡放电产生的高能量密度微等离子体,它可用于高功率超紫外线(EUV)源为下一代半导体纳米光刻。获得大批量制造(HVM)的的EUV产量为高度重复操作的放电超过20 kHz的需要。
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EUV POD 与极紫外光光罩传送盒
EUV laser 极远紫外激光器 ; 直视镜
EUV lithography 紫外光微影 ; 超紫外光微影技术
EUV-A 输出
EUV LLC 有限责任公司
EUV Spectrometer 远紫外线光谱仪
太阳EUV辐射 Solar EUV radiation
An EUV Lithography mask, a fabrication method, and use method thereof is provided.
本发明提供了一种EUV光刻掩模、其制造方法与其使用方法。
The general EUV sources, discharge produced plasma (DPP) and laser produced plasma (LPP), were compared in many respects.
对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较。
EUV masks are automatically transferred into and out of the dual pod; the inner pod can be stored inside the InSync environment.
EUV掩膜板被自动送入和送出双盒容器(Dual pod)中;其中内层盒可以储存在InSync系统的环境下。
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