...化学机械研磨) (d) PHOTO (黄光) Mask (光罩) 特殊光线 曝光区 光 阻 光 阻 (e) ETCH (蚀刻) 光 阻 光 阻 Etching gas (蚀刻气体) (f) ETCH (蚀刻后) 光 阻 光 阻 (g) WET (光阻去除后) 结果
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etching gas mixture 腐蚀用气体混合物
Gas Etching of Hydraulic Machinery 水力机械的汽蚀
gas etching [电子] 气蚀
gas etching technique 气体刻蚀技术充气的
gas-assisted etching 气体辅助刻蚀 ; 气体辅助刻蚀方法
gas-discharge etching 气体放电蚀刻
Firstly, we use DPS plus tool instead of DPS tool in order to increase new etching gas SF_6. Afterwards we improve Etch Rate Selectivity, Uniformity and also improve profile, CD of Spacer, but on the Gate, some Nitride remained.
首先通过更换原刻蚀设备DPS,使用DPS plus(DPS plus比DPS多出3路工艺气体管路),从而可以增加新的刻蚀气体SF_6,提高刻蚀速率选择比和刻蚀速率均匀性,改善Spacer的形状及线宽,但是没能将Spacer栅极上方残余的氮化硅去除。
参考来源 - 0.18微米侧壁（Spacer）干法刻蚀工艺的开发与优化·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
High-purity 1,1-difluoroethane usable as a cryogenic refrigerant, or as an etching gas, can be produced in an industrially advantageous manner.
可以以在工业上有利 的方式生产可用作低温制冷剂或蚀刻气体的高纯度1，1-二氟乙烷。
With the increase of flow of the gas, the etching rate decreases continually.
随着气体流量的增加，刻蚀速度不断降低。
The optical emission spectrum of r. f. plasma during amorphous silicon based film etching in CF4 gas is detected.
用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。
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