外延(epitaxy) 气相外延(vpe):硅的主要外延工艺; 液相外延(lpe):ⅲ-ⅴ化合物的外延; 固相外延(spe):离子注入退火过程; 分子束外延...
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Molecular Beam Epitaxy 分子束外延 ; 分子束磊晶 ; 分子束磊晶法
liquid phase epitaxy 液相外延 ; 液相磊晶
vapor phase epitaxy 汽相外延 ; 气相磊晶法 ; 气相外延生长
local epitaxy 局部外延
vapor growth epitaxy 汽相外延生长
double epitaxy 双外延工艺
solid phase epitaxy [物化] 固相外延 ; 本文采用固相外延技术
silicon epitaxy 硅外延
Sapphire is the most commonly used substrate for the GaN epitaxy.
目前,蓝宝石是GaN异质外延最常用的衬底材料。
参考来源 - 硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究In the work,the physical properties of ZnO and various growth techniques of ZnO thin film,such as Pulsed Laser Deposition,Magnetron Sputtering,Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,Sol-Gel,Spray Pyrolysis,Molecular Beam Epitaxy,Atomic Layer Epitaxy,are introduced in detail.
给出了ZnO薄膜的主要物理性能,并对制备方法作了比较详尽的介绍,包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、喷雾热解法、分子束外延法、原子层外延生长法。
参考来源 - ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究Epitaxy of ZnO nanocrystals was prepared by homogeneous precipitation using urea and zinc nitrate as the starting materials.
本文以硝酸锌、尿素为原材料,用均匀沉淀法制备了取向连生的氧化锌纳米晶粒。
参考来源 - 氧化锌纳米晶取向连生·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
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N the growth of a thin layer on the surface of a crystal so that the layer has the same structure as the underlying crystal 外延
Chemical beam epitaxy (CBE), a novel technique for thin-film crystal growth, is introduced.
本文介绍了薄膜晶体生长的最新技术——化学束外延(CBE)。
The higher value is comparable to those obtained in CVD epitaxy.
这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。
All the procedure for epitaxy growth was controlled by a computer.
外延生长工艺过程由计算机控制。
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