人们已经发现，光学带隙（Eopt）的a-Si：H薄膜从加热的SiH4的（气体加热器的温度：28 0-380℃下）是由约20-30毫电子伏特窄比传统膜其中那些SiH4的不被加热，使用...
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...料的性能:如红外吸收振动谱(IR)、化学分析电子谱(ESCA)、电子自旋共振谱(ESR)、光电导与暗电导之比(σP/σD)、光学禁带宽度(Eopt)的测量、以及制备的工艺条件等,作了初步的分析,现将实验结果简报如下:
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