...)180 nm步进(Core stepping)C1,D0核心代号(Processor core)Willamette功耗(Max TDP)54.7 W核心电压(VID Voltage Range)1.600V-1.75V 封装规格参数温度(TCASE)72°C封装尺寸(Package Size)53.3mm x 53.3mmProcessing Die Size217 mm2# of Processi...
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电压范围(VID Voltage Range):0.962V1.312V; 支持(Supported Features):Dual Core ;
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