... - 期刊论文 - 道客巴巴 fsemiconductor photocatalysis 图1-1半导体光催化反应机理 一般而言，价带顶（VBT，valence band top）越正氧化能力越强，导带底（CBB，conduction band bottom）越负还原能力越强。
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valence band top
价带顶部
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The results show: 1. There emerges a new bound state in the gap caused by thee-e interation, that is a shallow discrete level near the top of the valence band.
结果发现：1。电子相互作用使能隙中出现了一个新的电子束缚态，它是靠近价带的浅能级；
youdao
The bent bond states mainly appear near the top of valence band.
弯键态主要出现在价带顶附近。
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