...的形变 (Strain) ，而 SiGe 的临界厚度与 Si、Ge 含量比例有关[1]，当磊晶层的厚度小 于临界厚度时形成 应变层 ( strained layer )，厚度大于临界厚度时则形成 应变层 的 松弛。
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strained layer quantum well 应变层量子阱
Strained Layer Heterojunction 应变层异质结
strained layer superlattice 应变超晶格
strained-layer single quantum well 应变层单量子阱
SLMQW strained layer multiquantum-well laser 应变层多量子阱激光器
strained-layer 应变层
strained-layer materials 应变层材料
strained-layer superlattice 应变层超晶格
Modern advanced epitaxial growth technology has made the widely application of SiGe strained layer materials possible.
现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能。
In this paper, the total energy in the strained layer with nonstrained capping layer is calculated using continuum model.
利用连续介质模型，计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量。
The dual polarization dual wavelength lasers with active layer of mixed strained layer quantum well are reported in this paper.
本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。
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