兰州电力新闻-新电力网 ——硅直接键合制造静电感应器件 《电力电子技术》2004-02 硅——硅直接键合制造静电感应器件 静电感应器件(Static Induction Device,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题。 用SUSI键合技术代替高阻厚外延工艺，制
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Anti - static type material box + stainless steel frame frame; (advantage: beautiful appearance, light weight, strong, durable), material box with safety induction device.
防静电型料框+不锈钢支架边框；(优点：外形美观，重量轻，结实，耐用)，料盒加装安全感应装置。
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