该开发专案需依照企业常使用的「阶段—关 卡模式(stage-gate model)为鹰架(Cooper, 2000)，包括阶段—关卡模式之程序、 表单、方法与组织。
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A Typical Stage-Gate Model 关卡模型
stage-gate model
阶段-关卡模式
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With taking advantage of the model of two-stage H+ process of interface trap formation and the role that F play in radiation hardness in gate-oxide . the above-mentioned result is deeply analyzed.
借助界面态建立的H~+两步模型和F在栅氧化层中对抗辐照加固所起的作用对上述结果进行了深入的分析。
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