在这种状况下，由源极出发的载子经由通道到达夹止点时，会被注入汲极周围的空间电荷区（space charge region），再被电场扫入汲极。此时通过金氧半场效电晶体的电流与其汲极—源极间的电压VDS无关，只与闸极电压有关，关系式如下：
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With sufficient forward bias, the diffusion capacitance can easily exceed the space charge region capacitance.
当正向偏压足够高时，扩散电容很容易超过空间电荷压电容。
The field-enhanced carrier generation of deep level centers in semiconductor space charge region has been studied.
本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应；
Experiment results show that the application of an electric field causes nonuniform distribution of the density of the defects in the space charge region.
实验结果表明，辐照电场的存在将造成缺陷在空间电荷区的不均匀分布。
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