论文:ratio对分析蓝紫光氮化铟镓量子井雷射特性之影响 - docin.com豆丁网 ，当波长在409 nm时，受激再结合速率皆为正 值，且双量子井以及三量子井结构的总受激再结合 速率，大于单量子井(Single-Quantum Well，SQW) 结构的受激再结合速率。这意味著，对接近400 nm 的短波长氮化铟镓量子井雷射而言，双量子井以及
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Yasan等人在2003年以AlGaN材料系统制成单一量子井结构(Single Quantum Well, SQW)，成功长成尖峰波长为267 nm的发光二极管，脉冲操作下之最大功率可达4.5 mW；当输入电流为43...
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strained-layer single quantum well 应变层单量子阱
single quantum well laser 单量子阱激光器
single quantum well lasers 单量子阱激光器
strained single quantum well 应变量子阱
confinement single quantum well 分别限制单量子阱
single quantum well laser diode 单量子阱激光器
strained single quantum well laser 应变层单量子阱激光器
Development of nano-quantum-well single-electron transistor 多晶硅奈米井单电子电晶体之研发
This paper presents a simulative method to solve the frequency response of single quantum well laser diode under small signal modulation.
文中运用三层速率模型，对小信号调制下单量子阱激光器的频率响应进行模拟分析。
We have analyzed the single layer material, quantum well material and material comprise of superlattice by using kinematics and dynamics in a comparative way.
对单外延层结构材料、量子阱结构材料、含超晶格结构材料等，分别应用动力学理论和运动学理论作了对比分析。
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