电子器件投稿系统 关键词： SiGe HBT；热模拟；分段结构；自热效应 [gap=989]Keywords: SiGe HBT; Thermal Simulation; Segmented Structure; Self-Heating Effect
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为进一步探讨该 自发热效应 ( self-heating effect )，我们采用通道宽度为1504μm和通道长度为4μm的元件，改变其结构如直条形、指状形、蛇形和多通道结构来探讨此现象，研究发现在...
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reduction of the self-heating effect 自加热效应的抑制
Lots of results have been gained. According to the results, all of the parameters of devices can give impacts on the Self-Heating effect for SOI device.
根据这些模拟结果，我们在进行SOI器件设计时，在适当满足其它要求的情况下，可以通过优化器件参数来有效降低自加热效应对器件性能的影响。
参考来源 - SOI器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The results of negative resistance effect and transient characteristics of a SOI structure prove that the program can correctly simulate the main phenomena caused by self heating effect.
对一个SOI结构的负阻效应和瞬态特性的模拟结果表明，该程序能够正确模拟器件发热情况以及自热对器件特性的主要影响。
Both simulation and measurement prove that DSOI MOSFETs have the advantage of much lower thermal resistance of substrate and suffer less severe self heating effect than their SOI counterparts.
模拟和测量的结果证明DSOI器件与SO I器件相比，具有衬底热阻较低的优点，因而DSOI器件在保持SOI器件电学特性优势的同时消除了SO I器件严重的自热效应。
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