这种芯片采用了选择性外延生长晶体管(selective epitaxial growth transistor,SEG Tr),可产生一种更宽的电子通道,从而加速电子流动。
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这种芯片采用了选择性外延生长晶体管(selective epitaxial growth transistor,SEG Tr),可产生一种更宽的电子通道,从而加速电子流动。
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这种晶片采用了选择性磊晶生长电晶体(selective epitaxial growth transistor，SEG Tr)，可产生一种更宽的电子通道，因而加速电子流动。这种技术可降低并提高性能。
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这种芯片采用了选择性外延生长晶体管(selective epitaxial growth transistor,SEG Tr),可产生一种更宽的电子通道,从而加速电子流动。
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