具有复 - docin.com豆丁网 一般的闸极接地 N 型 金氧半（GGNMOS）电晶体只要在N 型扩散区域内加入复晶矽阵列，它的静电 放电防护能力便可以和经过自我对准金属矽化物阻隔光罩(Salicide Blocking, SAB)处理后的闸极接地 N 型金氧半电晶体相当。静电放电防护能力的大幅提升 可以归诸于复晶矽阵列产生足够的
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salicide blocking
salicide阻塞
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