FET周围环绕着众多二极管和晶体管以增加功能，比如负载放电、浪涌电流限制和反向电流阻隔(reverse current blocking, RCB)，这是其中的一部分功能。显而易见，发展趋势是转向真正的智能FET，其可在单个IC中集成这些功能。
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Schottky barrier rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 40v. Max RMS voltage 21v. Max DC blocking voltage 40v. Current 1.0a.
肖特基势垒整流器。最大的经常峰值反向电压40v。最大RMS电压21v。最大直流阻断电压40v。电流1.0 A。
Schottky barrier rectifier. Max recurrent peak reverse voltage 30v. Max RMS voltage 21v. Max DC blocking voltage 30v. Current 1.0a.
肖特基势垒整流器。最大的经常峰值反向电压30v。最大RMS电压21v。最大的隔直流电压30v。电流1.0 A。
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