...）对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7-10 o ；（2）用Si，Ge， F，Ar 等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（Pre-amorphization）；（3）增加注入剂量（晶 格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少）；（4）表面用SiO 2 层掩膜。
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Pre-amorphization Implantation 采用预非晶化掺杂
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