...频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、温度特性好、无二次击穿问题等优点，在高频应用的范围内代替了功率双极晶体管（power bjt），将电力电子带入了一个新的阶段。
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...R) : Controlled turn-on, uncontrolled turn-off (B) 双向闸流体(Bidirectional Thyristor 或TRIAC) (E) 功率电晶体(Power BJT) : Current control device (H) 功率金氧半电晶体(Power MOSFET) : Voltage control device (F) IGBT (Insulated Gate Bipolar T...
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