... planar gas discharge 平面气体放电 polysilicon gate device 多晶硅栅器件 preimplantation genetic diagnosis 着床前胚胎遗传学诊断 ...
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polysilicon gate device
多晶硅栅极装置
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In a trench-gated MIS device, contact is made to the gate within the trench, thereby eliminating the need to have the gate material, typically polysilicon, extend outside of the trench.
在一种沟槽栅极型MIS器件中，在沟槽中形成与栅极的接触，从而消除了使栅极材料，通常为多晶硅，延伸至沟槽外的需要。
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