[技术摘要] 本发明提供了一种应用三层阻抗的部分接触孔优先(partial-via-first)的双镶嵌工艺。首先形成第一接触孔，该第一接触孔穿过介电层的部分厚度，然后在介电层上形成三层阻抗结构，其中三层阻抗的底层填...
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