第二部份则是经过第一部份薄膜特性分析后找到最佳制程参数后,我们将IZO薄膜沉积于半导体材料—正型 氮化镓 ( P-type GaN )进而制造蓝色发光元件,这个部份我们将讨论IZO薄膜与 氮化镓 接触的问题来进行研究。
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p-type GaN epitaxial thin films p型GaN外延薄膜
p menus type GaN 弱p型GaN
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