...造商已经透露自家的3D NAND架构了，例如结合矽穿孔(TSV)技术、TB级单元阵列电晶体和垂直闸NAND的管线形状位元成本可扩展(p-BiCS)架构。大多数的3D NAND架构都基于6F2(3F×2F)单元尺寸，但闸极制程和元件结构会有所不同。
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