...和库仑阻塞效应为基础 描述单电子器件的I-V特性可以采用宏观控制参 量和微观结构参量相结合的方式 所谓正统理论(Orthodox Theory)就是这样 一种描述方法 它是建立在量子统计力学基础上的唯象理论 其基本方程为随机过程的主方程相继隧穿 的主方程( Master equat...
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Firstly, we introduce the background of single-electron device, the single-electron basic phenomenon, the measurement conditions, the orthodox theory, the unorthodox theory and so on.
本论文首先介绍了单电子器件的出现背景,详细介绍了单电子学的基本现象、测量条件、正统理论、非正统理论等。
参考来源 - 一种单电子晶体管的SPICE模型·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Firstly, we introduce the background of single-electron device the single-electron basic phenomenon, the orthodox theory.
本论文首先介绍了单电子器件的出现背景，介绍了单电子学的正统理论。
The master equation of the single electron triple barrier tunnel junction(TBTJ) model is developed based on the orthodox theory.
在正统理论的基础上 ，提出了单电子三势垒隧穿结模型的主方程 ，并用线性方程组解法求出了其稳态解 。
Based on the orthodox theory, a model of a single electron transistor (SET) of metallic tunneling junctions is built using the master equation method.
在正统理论的基础上，使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程。
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