组件均为热插拔式，在主要12伏输出时，可为容错和N+1冗余应用，合幷低损失内部ORing FET（场效应晶体管）。该等设备无最低负载要求，幷保持主要输出调节在±5%以内。
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oring fet
打鼾场效应晶体管
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