...2.S : SiNx (氮矽化合物,绝缘层)I : a-Si (非结晶矽,通道层)N : N+ (高浓度磷的矽)降低界面电位差,使成为欧姆接触(Omic contact)3.镀上钛铝钛合金(source,drain)厚度 500/1800/1000A4.
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...iNx (氮硅化合物，绝缘层) I: a-Si (非结晶硅，通道层) N: N+ (高浓度磷PH3的硅) 降低界面电位差，使成为奥姆接触(Omic Contact) G-SiNx = 3500 A, I/N=1650 A 9 Array Thin Film Array Thin Film Source metal Drain Metal Layer 3：Metal 2 MoN(氮化钼), Pu...
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