modulation doped structure
图1.1.2 SiGe 的临界厚度与Si、Ge 含量比例关系图 [7] 本实验使用的样品为调变掺杂结构(modulation doped structure)，至于调变掺杂 结构(modulation doped structure)是指利用本征量子井结构以分离电子与电洞的技 术，控制自由载子浓度的掺杂位置...
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modulation doped structure
调制掺杂结构
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