在N-well上加上偏压，可大量降低少数载 子注入 （ minority carrier injection ）的发生。% Q0 m0 H3 A8 C$ p
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minority carrier injection controlled FET 少子注入控制场效应晶体管
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A new theory about minority carrier injection into polysilicon emitter has been proposed in this paper.
本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论。
youdao
It is shown that the measured minority carrier diffusion length increases with the injection level when the latter is high.
结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。
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