微波场效应管
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Microwave power FET 微波功率场效率晶体管
GaAs microwave power FET 砷化镓微波功率场效应晶体管
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In order to make the GaAs FET having the required negative resonator to oscillator, we use the common source configuration and add the appropriate drain open stub microwave line.
为了使砷化镓场效应管具有建立振荡所需的负阻，我们将其配置为共源结构并在漏极添加合适的开路微带线。
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