metal oxide chemical vapour deposition
一般半导体磊晶膜成长所常用的金属有机化学气相沉积(metal oxide chemical vapour deposition,MOCVD)，在成长过程中需充入数十TORR之金属有机气体，所需真空程度并非极高，但需注意管路之密闭性，以防止毒...
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metal oxide chemical vapour deposition
金属氧化物化学气相沉积
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