为了解决微电子制造技术中纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度(line edge roughness,LER)的测量问题,笔者提出了基于平稳小波变换的线边缘粗糙度分析方法.首先,使用原子 .
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为了解决微电子制造技术中纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度(line edge roughness,LER)的测量问题,笔者提出了基于平稳小波变换的线边缘粗糙度分析方法.首先,使用原子 .
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...om豆丁网 (Orientation dependent etching)制作 10 nm 压印模具，该模具在 很大面积上具有低的线边粗糙度(Line edge roughness，LER)，满足纳米尺度模具制作要求。
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