...；F类；逆 F类；LDMOS晶体管；功率放大器 [gap=6514]Keywords：High efficiency，class-F，Inverse class-F，LDMOS transistor，power amplifier ...
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LDMOS power transistor LDMOS功率晶体管
ldmos transistor
ldmos晶体管
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The model considers the drift velocity saturation of carriers and influence of parasitic bipolar transistor. As a result, electric field profile of n drift in LDMOS at on state is obtained.
该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS 漂移区中的电场分布。
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