...】f23】认 为对钽酸铿晶体薄片做机械抛光减薄后，最有效进一步减薄钽酸锂晶体薄片厚度 的方法就是离子刻蚀法（IonBeam Etching，IBE）或反应离子刻蚀法（Reactive Ion Beam EtchingRIBE）。
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ionbeam etching
ionbeam蚀刻
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