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包括极紫外（EUV）光刻、离子束投影光刻技术（Ion Projection Lithography, IPL）、SCALPEL（角度限制投影电子束光刻技术）以及X射线光刻技术。
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...豆丁网 ron Beam Lithography, SCALPEL)，亦可缩小投影，解像度约在0.07微米；五为离子束投影式微影(Ion Projection Lithography, IPL)，主要使用H+、H2+、He+离子，无光学之绕射、电 子束之邻近效应等缺点，且聚焦深度甚长，可大面积..
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