... inversion density 反转载劣密度 inversion channel 反型沟道 inversion capacitance 反型层电容 ...
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sp=S%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93">半导体反转通道”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n-type，那么通道也会是n-type。
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A comprehensive Semi-empirical model for inversion channel electron mobility of SiC n-MOSFET is proposed on the basis of semiconductor device physics.
在器件物理的基础上,提出了一种较全面的半经验SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型。
参考来源 - SiO·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
This model predicts an increased electron density with an increasing channel depth in subthreshold region or mild inversion region.
该模型预测的电子密度增加，增加航道水深在亚阈值区或温和反转区域。
The channel friction is importance parameter of hydraulic analysis, a channel friction parameter inversion method based on Kalman filter with unknown parameter vector is proposed.
河道糙率是洪水水力计算的重要参数，引入控制论理论，应用带参数的卡尔曼滤波法进行河道糙率反演分析。
When decay rate in the coupling channel is greater than that in the probe channel, the incoherent population pumping in the probe channel can create the gain without inversion.
当耦合路径上的衰变率大于探测路径上的衰变率时，探测路径上的抽运导致了非逆转增益现象的产生。
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