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interface trap density

  • 界面陷阱密度：指半导体器件中，介质与半导体之间的界面上的缺陷或不规则结构所产生的电荷陷阱的密度。界面陷阱密度是衡量半导体器件性能的重要参数之一。

网络释义专业释义

  界面陷阱密度

界面陷阱密度

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  • 界面态密度 - 引用次数：4

    It is generally believed that CMOS 1/f noise is originated from the channel carrier density fluctuation or mobility fluctuation. The carrier density fluctuation depends on the Si-SiO_2 interface trap density and its energy in the band gap.

    通常认为CMOS器件的1/f噪声来自沟道中载流子密度或迁移率的不规则变化,前者取决于Si-SiO_2界面态密度及其在禁带能级中的位置,后者则由载流子与声子群的散射决定。

    参考来源 - 掺氮氧化硅栅介质对0.13um CMOS器件1/f噪声特性影响的研究

·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress

双语例句

  • The relationship between the threshold voltage and the peak of proportional difference, and between the interface trap density and stress time are also acquired.

    得到了阈值电压和比例差分峰值，界面陷阱密度和应力时间的关系。

    youdao

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