interface-trap 界面陷阱
interface trap states 界面陷阱态
Interface trap density 界面陷阱密度
interface trap distribution 界面陷阱分布
Due to the interface trap density, the C-V characteristics curve at high frequency has shown distortion.
通过分析和研究还发现,界面态存在时,高频C-V特性受到影响,从禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律。
参考来源 - 纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析The physical model of interface trap in PECVDSiOxNythin film which is originated by the suspension bond was confirmed.
证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。
参考来源 - PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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