第八章 淀积 - docin.com豆丁网 一层金属之间 的电绝缘层称为第一层层间介质（ILD-1）， 这一层也被称为金属前绝缘层（PMD）。 层间介质（interlayer dielectric,ILD），应用 于器件不同的金属层之间。充当两层导电金属 或者相邻金属线条之间的隔离膜。 8.1.2 薄膜的
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储存元件的形成方法、半导体元件及其形成方法 功能部件、并在功能部件上形成富含硅的介电层。可以采用旋涂式玻璃(spin-on-glass，SOG)技术在富含硅的介电层上形成层间介电(inter-layerdielectric，ILD)或金属间介电(inter-metaldielectric，IMD)层，该富含硅的介电层可阻止在旋涂式
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一种层间介电层平坦化的方法 学机械研磨(CMP)制作工艺，平坦化该嵌入式DRAM的层间介电层。 主权项 权利要求书 1.一种层间介电层(inter layer dielectric，ILD)平坦化(planarization)的方 法，该方法包含有下列步骤： 提供一半导体晶片，该半导体晶片
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