另外近年来，绝缘栅双极性晶体管（Insulated Gate Bipolar Traasistor，IGBT）比MOSFET有更高的耐压值、更低的通态损耗、较大的功率密度和较低的成本，更适合于高压大功率的场合。
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insulated gate bipolar traasistor
绝缘栅双极晶体管
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