...半球型硅晶粒生长的方法 [技术摘要] 一种由等离子沉积法在一多晶硅上成长半球型硅晶粒（Hemispherical-grainedsilicon，HSG-Si）的方法，该等离子沉积法比低压化学气相沉积法生长HSG-Si可用的基底沉积温度范围大。
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...of semispherical silicon crystal] 一种由等离子沉积法在一多晶硅上成长半球型硅晶粒（Hemispherical-grainedsilicon，HSG-Si）的方法，该等离子沉积法比低压化学气相沉积法生长HSG-Si可用的基底沉积温度范围大。
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