IBM今天宣布，他们的“高电介质先加工栅极”(High-K Gate-First)的新工艺材料已经研发成功，将应用在32nm制程技术的芯片上，2009年下半年投入实用，包括AMD、特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、三星...
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high-k gate-first
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