• 高k栅介质 - 引用次数：5

  As a result,SiO_2 or SiON should be replaced by high-k gate dielectric. However,the conventional poly-Si gate has many problems,such as poly-Si depletion effects,and the imcompatibility with high-k dielectrics:Fermi-level pinning and charge-carrier-induced mobility degradation.

  随着CMOS器件尺寸的不断变小,一方面由于通过SiO_2或SiON栅介质的隧穿电流呈数量级的增大,SiO_2和SiON栅介质需要被具有更高介电常数(高k)的介质所取代,另一方面,由于多晶硅栅存在着耗尽效应以及与高k栅介质的兼容性问题,如费米能级钉扎和迁移率降级效应,多晶硅栅需要被具有更高电导率的金属栅所取代。

  参考来源 - Ni基全硅化物金属栅工艺、特性及表征技术研究

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