...的特征尺寸逐渐减小为基础的.当栅极SiO2介电层的厚度减小到原子尺度大小时，由于量子效应的影响，SiO2将失去介电特性，因此必须寻找一种新的高介电常数（high-K）的氧化物材料来代替它.如今世界上许多国家都开展了替代SiO2的介电氧化物材料的研究工作.
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三星是32nm，但是是三星用的是HKMG金属栅极+高介电 常数绝缘层（High-k）栅结构，而高通采用较为传统的多晶硅栅+氮氧化硅绝缘层（poly/SiON）的栅极结构，所以三星应该更好点
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SiON是目前较为常见的介电材料，但是，由于因为制程的不断细微化，使得漏电流的情况更为严重，所以，必须寻找高介电（High-K）的材料与不同的2种金属闸极来克服此一缺陷，这也是进入奈米制程的业者急欲研发的方向之一。
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High-k Metal Gate 金属闸极 ; 金属闸 ; 高电介质金属栅极 ; 高介电层
High-K Dielectrics 高介电薄膜 ; 高k介质
High K 街女 ; 舍身技
high-k gate dielectrics 栅极电介质 ; 高K栅介质 ; 甲状旁腺激素
high-K capacitor 高介电常数电容器
High-k Materials 高介电质材料
High K Cap layers 高介电值覆盖层
high-k gate-first 高电介质先加工栅极
High K-value 高k值
In this dissertation, we will investigate the application of several high-k dielectric and metal gate process technologies.
在本论文中，吾人将探讨数种高介电系数介电层与金属闸极的研究与应用。
At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过， 令人 感到意外的是，在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上，三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设 备》。
The publication of Harry Potter series has enjoyed great popularity, earning J. K. Rowling high reputation.
哈利波特系列小说的出版广受欢迎，使J·K·罗琳获得极高的声誉。
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