• 锗硅量子点 - 引用次数：2

  Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).

  由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。

  参考来源 - 图案硅衬底上锗硅量子点生长

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