Disclosed herein are a method of forming a stable phase change layer without generating seams, and a method of manufacturing phase change memory device using the same.
本文公开了一种形成不产生接缝的稳定的相转变层的方法以及制造使用所述相转变层的相转变存储器件的方法。
Electron generating apparatus, image forming apparatus, and method of manufacturing and adjusting the same.
电子发生装置，成像装置，及制造和调节这些装置的方法。
Electron generating apparatus, image forming apparatus, and method for mfg. the same.
电子发生装置，成像装置，及制造该电子发生装置的方法。
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