它的操作原理主要 是将 MOSFET 闸极接地(Gate Grounded-NMOS , GG-NMOS)即可避 免电路在一般正常工作时导通造成误动作，而在ESD发生时，又可 适时导通其寄生的横向 BJT ...
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Gate Grounded NMOS 元件
gate grounded-nmos
门grounded-nmos
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Based on simulation, the characteristics and mechanisms of failure on a deep sub-micron grounded-gate NMOS (GGNMOS) are studied under TLP (transmission line pulse) stress.
对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米ggnmos器件的特性和失效机理进行了仿真研究。
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