ISi公司创立于2002年,他们开发出了独家的Z-RAM(零电容RAM)技术,存储在电容器中的电荷会增大浮体效应(Foating-Body Effect),被认为是SOI设计中的最大问题,以及导致SOI高速切换的祸源ZRAM技术比植入式DRAM技术密度提高2倍,在处理器中使用的SRAM可以提高5倍...
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foating-body effect
foating-body效应
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