由于常用的存储器单元包括浮置栅极(floating gate)和控制栅极(control gate)，该浮置栅极(floating gate)及控制栅极(control gate)一般通过一绝缘层与沟道区电绝缘，因而存储器单元一般具有单一的逻辑电路功能，在制造过程中也要求比较...
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...第一介电层，而停止于该第一导电层上；再沉积一第二导电层；使用非等向性蚀刻该第一及第二导电层，以形成一浮动栅(floating gate)，其中余留的该第二导电层在该第一介电层旁形成较小的间隙壁(spacer)，为浮动栅的一部分；去除该第一介电层。
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floating gate ic 浮栅集成电路
floating gate mos 浮栅金属氧化物半导体 ; 浮置栅MOS
Floating gate transister 基于一种浮栅管单元
floating-gate amplifier 浮栅放大器
floating gate transistor 浮栅金属氧化物半导体晶体管 ; 晶体管
floating-gate structure 采用浮闸架构
floating gate silicon process 浮栅硅金属氧化物半导体工艺
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The floating gate is positioned between the source and drain regions.
浮动栅极定位于源极区与漏极区之间。
The floating gate can only be accessed though another transistor, the control gate.
浮动门虽然只能进入另一个晶体管，控制闸门。
According to the structural feature of the floating gate, a nonlinear single - degree of harmonic oscillating model is set up.
根据浮体闸门的构造特征，建立了单自由度非线性振荡模型。
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