excessive lateral diffusion
...artially depleted，将成为一大挑战，对矽基材与绝缘层元件(bulk and SOI devices)过度的侧向扩散(excessive lateral diffusion)进行补偿， Toshiba研究人员则使用接合绝缘层晶圆(bonded SOI wafer)方法，最后得以降低HALO剂量[4]，会直接影响Vt的控制与环形振...
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excessive lateral diffusion
过度横向扩散
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